ST-1026

Positive Photo Resist Stripper

ST-1026은 반도체 공정 중 PR(Photo Resist)의 Strip 공정에 사용되는 수지용해제로서 etching 후 표면조도를 변화시키지 않고 PR막을 제거하여 Al전극막의 패턴을 형성시키는 기능이 뛰어나며, 할로겐 용제와 같이 환경문제를 일으키지 아니하고 수지 제거 시 뛰어난 용해기능을 나타냅니다. 특히 수지용해 후의 수세 공정 시에 잔사분의 세정력이 뛰어날 뿐만 아니라 타 용제에 비해 2~3배 이상의 세정효율을 높일 수 있습니다.

* ST-1026의 기본 원리 및 PR Strip test 사진

PR Strip 전

PR Strip 후

특징

    • PR 제거 속도가 타 용제에 비해 우수하다.
    • PR 제거 후 잔사가 없고, 수세 시 wetting성이 뛰어나다.
    • 소지(Si & GaAs & L/T & L/N wafer, sodalime Glass 등)에 영향을 미치지 않는다.
    • Metal 증착층 (Ni, Au, Ti, Al, ITO, Cr 등)에 영향을 미치지 않는다.
    • Positive type PR 제거가 가능하다.
    • Lift off용 PR Stripper로도 사용 가능하다.

물성 및 적용방법

외관 : 엷은 황색 투명 액상농도 : 원액 사용
냄새 :특유의 냄새온도 : 40 ~ 80 ℃
pH(10%) :11.5 ± 0.5작업방법 :침적 / 침적초음파
비중(g/ml) :1.06 ± 0.02포장 : 20L (pail) / 200L (drum)

적용 분야

    • Semiconductor, LCD, 유기 EL 등