전기·전자 Process Chemical
Positive PR Stripper
IT-1026은 반도체용 photo resist stripper로 wafer level packaging process 전용으로 개발되었으며, positive PR 제거에 적합한 고성능의 bulk PR stripper입니다.
[제품 특징]
- PR 제거 속도가 타용제에 비해 우수합니다.
- PR 제거 후 잔사가 없고 수세시 wetting성이 뛰어납니다.
- Positive PR 전용 bulk Stripper로써, Ash/etch 잔여물없이 깨끗이 세척합니다.
- Bump metal들과 bump Substrates에 산화나 Damage없이 PR을 제거합니다.
- 넓은 범위의 공정처리 margin(처리 온도와 시간)을 가지도록 디자인 되었습니다.
[제품 정보]
PR Etching Rate (PR Thickness : 5, 30μm, Temp : 50 ℃)
PR Thickness | “A” 社 | “B” 社 | IT-1026 |
E/R for 5μm PR | 0.4μm/sec. | 0.5μm/sec. | 0.6μm/sec. |
E/R for 30μm PR | 0.8μm/sec. | 1.1μm/sec. | 1.3μm/sec. |
[IT – 1026 처리 결과]
처리전 | IT-1026 처리 후(65℃, 20min) |
Negative PR Stripper
IT-1030은 반도체용 photo resist stripper로 wafer level packaging process 전용으로 개발되었으며, negative PR 제거에 적합한 고성능의 solvent계 bulk PR stripper입니다
[제품 특징]
- Wafer bumping에 사용되는 PR 제거 전용으로 개발되었습니다.
- Negative PR 전용 bulk stripper로써 ash/etch 잔여물없이 깨끗이 세척합니다.
- Bump metal들과 bump substrates에 산화나 damage없이 PR을 제거합니다.
- 넓은 범위의 공정처리 margin(처리 온도와 시간)을 가지도록 디자인 되었습니다.
[제품 정보]
Metal Etching Rate (단위 : Å/min.)
Temp | SiC | SiN | SiO2 | TEOS | Ti | TiN | W |
45℃ | <1 | <1 | <1 | <1 | <1 | <1 | <1 |
65℃ | <1 | <1 | <1 | <1 | <1 | <1 | <1 |
[IT-1030 처리 결과]
처리전 gold bumps | IT-1030 처리 후(50℃, 20min) |